Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET Nej IRF9388TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9336
- Producentens varenummer:
- IRF9388TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 50,46
(ekskl. moms)
Kr. 63,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,046 | Kr. 50,46 |
| 100 - 240 | Kr. 4,802 | Kr. 48,02 |
| 250 - 490 | Kr. 4,294 | Kr. 42,94 |
| 500 - 990 | Kr. 3,029 | Kr. 30,29 |
| 1000 + | Kr. 2,274 | Kr. 22,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9336
- Producentens varenummer:
- IRF9388TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -12A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er en -30 V p-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12 A 30 V HEXFET IRF9388TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V HEXFET IRF8714TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9358TRPBF
- Infineon N-Kanal 8 A 30 V HEXFET IRF7328TRPBF
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V HEXFET IRF7862TRPBF
- Infineon N-Kanal 6 SO-8, HEXFET IRF7313TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET IRF7458TRPBF
