Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9336
- Producentens varenummer:
- IRF9388TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 30,22
(ekskl. moms)
Kr. 37,78
(inkl. moms)
Tilføj 180 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 3.420 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,022 | Kr. 30,22 |
| 100 - 240 | Kr. 2,872 | Kr. 28,72 |
| 250 - 490 | Kr. 2,566 | Kr. 25,66 |
| 500 - 990 | Kr. 1,81 | Kr. 18,10 |
| 1000 + | Kr. 1,601 | Kr. 16,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9336
- Producentens varenummer:
- IRF9388TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.9mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -12A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.9mΩ | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er en -30 V p-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -7.4 A -12 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -8 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
