Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2605
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-416
- Producentens varenummer:
- IRF7458TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 201,06
(ekskl. moms)
Kr. 251,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 10,053 | Kr. 201,06 |
| 100 - 180 | Kr. 9,552 | Kr. 191,04 |
| 200 - 480 | Kr. 9,156 | Kr. 183,12 |
| 500 - 980 | Kr. 8,744 | Kr. 174,88 |
| 1000 + | Kr. 8,142 | Kr. 162,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2605
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-416
- Producentens varenummer:
- IRF7458TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 30 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et SO-8 hus.
Ultra-lav gate-impedans
Meget lav RDS (til)
Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET