Infineon N-Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 142,88

(ekskl. moms)

Kr. 178,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 7,144Kr. 142,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2607
Producentens varenummer:
IRF7469TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

21mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.9mm

Længde

4.9mm

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 40 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et SO-8 hus.

Ultra-lav gate-impedans

Meget lav RDS (til)

Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.