Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2607
- Producentens varenummer:
- IRF7469TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 83,42
(ekskl. moms)
Kr. 104,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 140 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 4,171 | Kr. 83,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2607
- Producentens varenummer:
- IRF7469TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 40 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et SO-8 hus.
Ultra-lav gate-impedans
Meget lav RDS (til)
Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -9 A 20 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET