Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6735
- Producentens varenummer:
- IRF7465TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 7.864,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.832,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,966 | Kr. 7.864,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6735
- Producentens varenummer:
- IRF7465TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.
Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5.4 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET