Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 128,65

(ekskl. moms)

Kr. 160,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 5,146Kr. 128,65
125 - 225Kr. 4,892Kr. 122,30
250 - 600Kr. 4,686Kr. 117,15
625 - 1225Kr. 4,479Kr. 111,98
1250 +Kr. 2,834Kr. 70,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6736
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-668
Producentens varenummer:
IRF7465TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links