Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 70,30

(ekskl. moms)

Kr. 87,875

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 2,812Kr. 70,30
125 - 225Kr. 2,672Kr. 66,80
250 - 600Kr. 2,555Kr. 63,88
625 - 1225Kr. 2,448Kr. 61,20
1250 +Kr. 1,628Kr. 40,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6736
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-668
Producentens varenummer:
IRF7465TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links