Infineon N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6734
- Producentens varenummer:
- IRF7451TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 76,82
(ekskl. moms)
Kr. 96,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,682 | Kr. 76,82 |
| 100 - 240 | Kr. 7,30 | Kr. 73,00 |
| 250 - 490 | Kr. 7,001 | Kr. 70,01 |
| 500 - 990 | Kr. 6,687 | Kr. 66,87 |
| 1000 + | Kr. 4,226 | Kr. 42,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6734
- Producentens varenummer:
- IRF7451TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.
Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 1.9 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 5.4 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET