Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 76,82

(ekskl. moms)

Kr. 96,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,682Kr. 76,82
100 - 240Kr. 7,30Kr. 73,00
250 - 490Kr. 7,001Kr. 70,01
500 - 990Kr. 6,687Kr. 66,87
1000 +Kr. 4,226Kr. 42,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6734
Producentens varenummer:
IRF7451TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.