Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 51,31

(ekskl. moms)

Kr. 64,14

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.750 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,131Kr. 51,31
100 - 240Kr. 4,877Kr. 48,77
250 - 490Kr. 4,675Kr. 46,75
500 - 990Kr. 4,473Kr. 44,73
1000 +Kr. 2,827Kr. 28,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6734
Producentens varenummer:
IRF7451TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.