Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 39,45

(ekskl. moms)

Kr. 49,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 25 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 7,89Kr. 39,45
50 - 95Kr. 7,18Kr. 35,90
100 - 495Kr. 6,598Kr. 32,99
500 - 1995Kr. 5,654Kr. 28,27
2000 +Kr. 5,52Kr. 27,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2806
Producentens varenummer:
IRF7351TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

17.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

COO (Country of Origin):
PH
Infineon MOSFET er en 60 V N-kanals HEXFET-effekt-MOSFET. Denne MOSFET bruges til lavtydende motordrevssystemer og til isolerede DC-til-DC-konvertere.

Meget lav gate-impedans

20 V VGS maksimal mærkeværdi for gate

Fuldt karakteriseret lavinspænding og strøm

Relaterede links