Infineon N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 273-2806
- Producentens varenummer:
- IRF7351TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 77,04
(ekskl. moms)
Kr. 96,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,408 | Kr. 77,04 |
| 50 - 95 | Kr. 14,062 | Kr. 70,31 |
| 100 - 495 | Kr. 12,91 | Kr. 64,55 |
| 500 - 1995 | Kr. 11,026 | Kr. 55,13 |
| 2000 + | Kr. 10,786 | Kr. 53,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2806
- Producentens varenummer:
- IRF7351TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Infineon MOSFET er en 60 V N-kanals HEXFET-effekt-MOSFET. Denne MOSFET bruges til lavtydende motordrevssystemer og til isolerede DC-til-DC-konvertere.
Meget lav gate-impedans
20 V VGS maksimal mærkeværdi for gate
Fuldt karakteriseret lavinspænding og strøm
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 2 N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 1.9 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET