Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 75,55

(ekskl. moms)

Kr. 94,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,022Kr. 75,55
125 - 225Kr. 2,872Kr. 71,80
250 - 600Kr. 2,75Kr. 68,75
625 - 1225Kr. 1,813Kr. 45,33
1250 +Kr. 1,361Kr. 34,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6742
Producentens varenummer:
IRF7606TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-3.6A

Drain source spænding maks. Vds

-30V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links