Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6742
- Producentens varenummer:
- IRF7606TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 72,85
(ekskl. moms)
Kr. 91,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 2,914 | Kr. 72,85 |
| 125 - 225 | Kr. 2,768 | Kr. 69,20 |
| 250 - 600 | Kr. 2,654 | Kr. 66,35 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,747 | Kr. 43,68 |
| 1250 + | Kr. 1,31 | Kr. 32,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6742
- Producentens varenummer:
- IRF7606TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.
Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -3.6 A -30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 3.6 A 80 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 5.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 10.5 A 40 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 16 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 15 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET