Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF7380TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 108,46

(ekskl. moms)

Kr. 135,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,423Kr. 108,46
100 - 180Kr. 4,226Kr. 84,52
200 - 480Kr. 3,957Kr. 79,14
500 - 980Kr. 3,684Kr. 73,68
1000 +Kr. 3,415Kr. 68,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-8904
Producentens varenummer:
IRF7380TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

73mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2 W maksimal effektafledning - IRF7380TRPBF


Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer. Med en høj spænding og en kontinuerlig afløbsstrøm på 3,6 A er den velegnet til højfrekvente DC-DC-konvertere, hvilket sikrer pålidelig ydelse. Dens avancerede design giver en praktisk løsning til fagfolk inden for automatisering, elektronik og mekanik, der søger en alsidig komponent til deres kredsløb.

Egenskaber og fordele


• Industristandard SO-8-pakke sikrer kompatibilitet på tværs af forskellige leverandører

• Lav Rds(on) på 73mΩ optimerer effektiviteten i strømapplikationer

• Enhancement mode-drift forbedrer ydeevnen

• Lav gate-ladning på 15nC muliggør hurtigere skiftehastigheder

• Maksimal drain-source-spænding på 80 V imødekommer høje strømbehov

• RoHS-kompatibel og halogenfri fremmer miljøsikkerheden

Anvendelsesområder


• Bruges i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektregulering

• Effektiv i batteristyringssystemer, der kræver lavt effekttab

• Velegnet til motorstyringer med behov for effektiv skifteydelse

• Anvendes i strømforsyningsenheder for at forbedre den samlede effektivitet

• Velegnet til at drive induktive belastninger som relæer og solenoider

Hvad er konsekvenserne af den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm?


Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm på 3,6 A viser, at den er i stand til at håndtere højere strømme i f.eks. strømforsyningskredsløb, hvilket sikrer stabil drift uden overophedning.

Hvordan påvirker den lave Rds(on) ydeevnen?


Den lave Rds(on) på 73mΩ reducerer effekttabet under drift og forbedrer den samlede systemeffektivitet, hvilket er særligt gavnligt i højfrekvente switching-applikationer.

Hvilken betydning har dens temperaturangivelser?


Drift mellem -55 °C og +150 °C sikrer, at komponenten kan modstå barske miljøforhold, hvilket gør den velegnet til industrielle anvendelser.

Kan denne komponent monteres direkte på printkort?


Ja, dens overflademonterede design giver mulighed for nem integration i PCB-layouts, hvilket fremmer effektive fremstillingsprocesser og sikrer pladsbesparende fordele i kompakte designs.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen dens funktion?


Med en gate-tærskelspænding fra 2V til 4V giver den designfleksibilitet, så den er kompatibel med forskellige styresignaler og samtidig sikrer effektiv aktivering af enheden.

Relaterede links