Infineon 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 826-8904
- Producentens varenummer:
- IRF7380TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 106,96
(ekskl. moms)
Kr. 133,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,348 | Kr. 106,96 |
| 100 - 180 | Kr. 4,174 | Kr. 83,48 |
| 200 - 480 | Kr. 3,905 | Kr. 78,10 |
| 500 - 980 | Kr. 3,636 | Kr. 72,72 |
| 1000 + | Kr. 3,37 | Kr. 67,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-8904
- Producentens varenummer:
- IRF7380TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2 W maksimal effektafledning - IRF7380TRPBF
Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer. Med en høj spænding og en kontinuerlig afløbsstrøm på 3,6 A er den velegnet til højfrekvente DC-DC-konvertere, hvilket sikrer pålidelig ydelse. Dens avancerede design giver en praktisk løsning til fagfolk inden for automatisering, elektronik og mekanik, der søger en alsidig komponent til deres kredsløb.
Egenskaber og fordele
• Industristandard SO-8-pakke sikrer kompatibilitet på tværs af forskellige leverandører
• Lav Rds(on) på 73mΩ optimerer effektiviteten i strømapplikationer
• Enhancement mode-drift forbedrer ydeevnen
• Lav gate-ladning på 15nC muliggør hurtigere skiftehastigheder
• Maksimal drain-source-spænding på 80 V imødekommer høje strømbehov
• RoHS-kompatibel og halogenfri fremmer miljøsikkerheden
Anvendelsesområder
• Bruges i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektregulering
• Effektiv i batteristyringssystemer, der kræver lavt effekttab
• Velegnet til motorstyringer med behov for effektiv skifteydelse
• Anvendes i strømforsyningsenheder for at forbedre den samlede effektivitet
• Velegnet til at drive induktive belastninger som relæer og solenoider
Hvad er konsekvenserne af den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm?
Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm på 3,6 A viser, at den er i stand til at håndtere højere strømme i f.eks. strømforsyningskredsløb, hvilket sikrer stabil drift uden overophedning.
Hvordan påvirker den lave Rds(on) ydeevnen?
Den lave Rds(on) på 73mΩ reducerer effekttabet under drift og forbedrer den samlede systemeffektivitet, hvilket er særligt gavnligt i højfrekvente switching-applikationer.
Hvilken betydning har dens temperaturangivelser?
Drift mellem -55 °C og +150 °C sikrer, at komponenten kan modstå barske miljøforhold, hvilket gør den velegnet til industrielle anvendelser.
Kan denne komponent monteres direkte på printkort?
Ja, dens overflademonterede design giver mulighed for nem integration i PCB-layouts, hvilket fremmer effektive fremstillingsprocesser og sikrer pladsbesparende fordele i kompakte designs.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen dens funktion?
Med en gate-tærskelspænding fra 2V til 4V giver den designfleksibilitet, så den er kompatibel med forskellige styresignaler og samtidig sikrer effektiv aktivering af enheden.
Relaterede links
- Infineon 2 N-Kanal Isoleret 3.6 A 80 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.3 A 80 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -3.6 A -30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 150 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 40 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 2.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon N-Kanal 24 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon N-Kanal 7.3 A 100 V Forbedring SOIC, HEXFET