Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF7842TRPBF

RS-varenummer:: 827-3899
Producentens varenummer:: IRF7842TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF7842TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 97,38

(ekskl. moms)

Kr. 121,72

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 21. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 40	Kr. 9,738	Kr. 97,38
50 - 90	Kr. 9,26	Kr. 92,60
100 - 240	Kr. 8,871	Kr. 88,71
250 - 490	Kr. 8,28	Kr. 82,80
500 +	Kr. 7,794	Kr. 77,94

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-3899
Producentens varenummer:: IRF7842TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	18A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.9mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4 mm
	Længde	5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.5mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4 mm
	Længde 5mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.5mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 18A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,5W maksimal effektafledning - IRF7842TRPBF

Denne MOSFET leverer høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Med specifikationer, der omfatter en kontinuerlig drain-strøm på 18 A og en maksimal drain-source-spænding på 40 V, forbedrer den elektroniske enheders strømeffektivitet. Denne enhed er designet til overflademontering og sikrer holdbarhed og er velegnet til fagfolk inden for elektronik og automatisering.

Egenskaber og fordele

• Lav Rds(on) ved 4,5 V forbedrer effektiviteten

• Høj strømstyrke optimerer strømforsyningen

• Minimal gate-ladning reducerer koblingstab

• Lavineklassificeret for at øge pålideligheden

• N-kanal-konfiguration understøtter effektiv ydeevne i kontrolapplikationer

Anvendelsesområder

• Bruges i synkrone MOSFET-kredsløb til strøm til notebook-processorer

• Fungerer som sekundær synkron ensretning i isolerede DC-DC-omformere

• Funktioner i ikke-isolerede DC-DC-konverter-designs

Hvad er den maksimale driftstemperatur for denne enhed?

Den fungerer effektivt op til +150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i miljøer med høje temperaturer.

Hvordan håndterer denne komponent strøm under drift?

Enheden understøtter en kontinuerlig afløbsstrøm på 18A, hvilket er velegnet til forskellige anvendelser.

Kan den bruges i højspændingskredsløb?

Ja, den maksimale drain-source-spænding er normeret til 40 V, hvilket giver fleksibilitet til højspændingsapplikationer.

Hvad er de termiske modstandsegenskaber?

Den termiske modstand fra forbindelsen til omgivelserne er typisk omkring 50-55 °C/W, hvilket giver en effektiv varmeafledning.

Er denne MOSFET kompatibel med overflademonteringsteknologi?

Ja, den fås i en SOIC-pakke, der er specielt designet til overflademontering, hvilket gør det nemmere at integrere den i kredsløbsdesign.