Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 73,66

(ekskl. moms)

Kr. 92,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 7,366Kr. 73,66
50 - 90Kr. 7,005Kr. 70,05
100 - 240Kr. 6,703Kr. 67,03
250 - 490Kr. 6,261Kr. 62,61
500 +Kr. 5,893Kr. 58,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-3877
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-453
Producentens varenummer:
IRF7495TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH

N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links