Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 78,99

(ekskl. moms)

Kr. 98,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,899Kr. 78,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-3893
Producentens varenummer:
IRF7855TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

26nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links