Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 21.412,00

(ekskl. moms)

Kr. 26.764,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 5,353Kr. 21.412,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5714
Producentens varenummer:
IRF7855TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

26nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links