Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5714
Producentens varenummer:: IRF7855TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 18.276,00

(ekskl. moms)

Kr. 22.844,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
4000 +	Kr. 4,569	Kr. 18.276,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5714
Producentens varenummer:: IRF7855TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOIC
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	9.4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	26nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4mm
	Højde	1.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOIC
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 9.4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4mm
	Højde 1.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF7855TRPBF

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde til industriel brug og er velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og hurtig gate-reaktion. Enheden leveres i en 8-benet SOIC-pakke til kompakt printkortmontering og understøtter moderat effekttab ved kontinuerlig drift.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-klassificering muliggør omskiftning i mellemspændingssystemer
• 12 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje belastningsstrømme
• 9,4 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 26 nC typisk gate-ladning sikrer reaktiv omskiftningskontrol
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 2,5 W effekttab styrer termisk belastning på steder med begrænset plads

Anvendelser

• Velegnet til strømskinner i industrielt styreudstyr
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver omskiftning med høj strømstyrke
• Ideel til DC/DC-omformere i kompakte strømforsyninger
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til overflademonterede konstruktioner, der kræver SOIC-huse

Hvilket temperaturområde kan den pålideligt modstå i drift?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C og passer til barske industrielle termiske miljøer.

Hvordan påvirker hustypen hensynet til printkortlayout?

8-benet SOIC-footprint kræver opmærksomhed på termiske ledninger og kobberareal for at sprede dens 2,5 W maksimale effekttab effektivt.

Hvilke elektriske egenskaber bestemmer ledningseffektiviteten ved høje strømme?

Enhedens maksimale drain-source-modstand på 9,4 mΩ styrer primært ledningstab under vedvarende strømstrøm.

Hvordan skal gate-drevet dimensioneres for effektiv omskiftning?

Design gate-drivere til at levere tilstrækkelig opladning til den typiske 26 nC Qg til at balancere skiftehastighed mod drevenergi og EMI.