Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 827-3896
- Producentens varenummer:
- IRF7832TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 68,14
(ekskl. moms)
Kr. 85,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.820 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,814 | Kr. 68,14 |
| 50 - 90 | Kr. 5,311 | Kr. 53,11 |
| 100 - 240 | Kr. 4,974 | Kr. 49,74 |
| 250 - 490 | Kr. 4,63 | Kr. 46,30 |
| 500 + | Kr. 3,74 | Kr. 37,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-3896
- Producentens varenummer:
- IRF7832TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 155°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 155°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 2.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 4.9 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring SOIC, HEXFET