Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 9.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF7907TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 52,21

(ekskl. moms)

Kr. 65,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,221Kr. 52,21
50 - 90Kr. 4,961Kr. 49,61
100 - 240Kr. 3,919Kr. 39,19
250 - 490Kr. 2,729Kr. 27,29
500 +Kr. 2,669Kr. 26,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0964
Producentens varenummer:
IRF7907TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.1A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

20.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links