Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 8.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 8.692,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.864,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 12.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 2,173Kr. 8.692,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-6026
Producentens varenummer:
IRL6372TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.1A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

12 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links