Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 8.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRL6372TRPBF
- RS-varenummer:
- 130-1013
- Producentens varenummer:
- IRL6372TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 69,80
(ekskl. moms)
Kr. 87,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 15.175 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 2,792 | Kr. 69,80 |
| 125 - 225 | Kr. 2,235 | Kr. 55,88 |
| 250 - 600 | Kr. 2,092 | Kr. 52,30 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,927 | Kr. 48,18 |
| 1250 + | Kr. 1,879 | Kr. 46,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-1013
- Producentens varenummer:
- IRL6372TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Længde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Længde 5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF7907TRPBF
- Infineon 2 Type P-Kanal Dobbelt 8 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type P-Kanal Dobbelt 8 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF9362TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 24 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 2.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 7.3 A 100 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej