Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5715
Producentens varenummer:: IRF7832TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 16.408,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.512,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 14. maj 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
4000 +	Kr. 4,102	Kr. 16.408,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5715
Producentens varenummer:: IRF7832TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	20A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOIC
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	4.8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	34nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	155°C
	Bredde	4mm
	Højde	1.5mm
	Længde	5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOIC
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 155°C
	Bredde 4mm
	Højde 1.5mm
	Længde 5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 20 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF7832TRPBF

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til effektkobling og styring i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til industrielle miljøer, og integreres i standard SOIC-fodaftryk til printmontering, hvilket giver en balance mellem strømkapacitet og håndterbart effekttab til design med medium effekt.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 4,8 mΩ, der giver reducerede ledningstab
• 20 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter høje strømbelastninger
• 30 V drain-source mærkeværdi til almindelige lavspændingsstrømskinner
• 34 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 2,5 W maks. effekttab for vedvarende termisk håndtering
• ±20 V gate-source-tolerance giver mulighed for fleksible drevniveauer

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til motordrevstrømkontakter i kompakte design
• Anvendes med synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til batteristyring og strømfordeling

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Enheden er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 155 °C, hvilket muliggør brug under barske industrielle temperaturforhold.

Hvor mange ben har pakken til printkortlayout?

Den leveres i en 8-benet SOIC-pakke, der hjælper med standard fodaftryk og termisk spredning.

Hvilke hensyn opstår der fra gate-opladningen?

Med en typisk gate-ladning på 34 nC skal drivere forsyne tilstrækkelig spidsstrøm for at opnå den ønskede skiftehastighed uden overdrevne driftstab.

Hvordan påvirker dens fremadgående spænding serieledningsscenarier?

Den målte retningsspænding på 1 V påvirker faldet over egensidige diodehændelser og bør overvejes, når der designes til omvendt gendannelse eller body-diode-ledning.