Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF8788TRPBF

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 54,82

(ekskl. moms)

Kr. 68,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.340 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,482Kr. 54,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0967
Producentens varenummer:
IRF8788TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links