Infineon 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5940
Producentens varenummer:: IRF7380TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 11.224,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.032,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
4000 +	Kr. 2,806	Kr. 11.224,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5940
Producentens varenummer:: IRF7380TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.6A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	73mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	15nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4mm
	Længde	5mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 73mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4mm
	Længde 5mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2 W maksimal effektafledning - IRF7380TRPBF

Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske applikationer. Med en høj spænding og en kontinuerlig afløbsstrøm på 3,6 A er den velegnet til højfrekvente DC-DC-konvertere, hvilket sikrer pålidelig ydelse. Dens avancerede design giver en praktisk løsning til fagfolk inden for automatisering, elektronik og mekanik, der søger en alsidig komponent til deres kredsløb.

Egenskaber og fordele

• Industristandard SO-8-pakke sikrer kompatibilitet på tværs af forskellige leverandører

• Lav Rds(on) på 73mΩ optimerer effektiviteten i strømapplikationer

• Enhancement mode-drift forbedrer ydeevnen

• Lav gate-ladning på 15nC muliggør hurtigere skiftehastigheder

• Maksimal drain-source-spænding på 80 V imødekommer høje strømbehov

• RoHS-kompatibel og halogenfri fremmer miljøsikkerheden

Anvendelsesområder

• Bruges i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektregulering

• Effektiv i batteristyringssystemer, der kræver lavt effekttab

• Velegnet til motorstyringer med behov for effektiv skifteydelse

• Anvendes i strømforsyningsenheder for at forbedre den samlede effektivitet

• Velegnet til at drive induktive belastninger som relæer og solenoider

Hvad er konsekvenserne af den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm?

Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm på 3,6 A viser, at den er i stand til at håndtere højere strømme i f.eks. strømforsyningskredsløb, hvilket sikrer stabil drift uden overophedning.

Hvordan påvirker den lave Rds(on) ydeevnen?

Den lave Rds(on) på 73mΩ reducerer effekttabet under drift og forbedrer den samlede systemeffektivitet, hvilket er særligt gavnligt i højfrekvente switching-applikationer.

Hvilken betydning har dens temperaturangivelser?

Drift mellem -55 °C og +150 °C sikrer, at komponenten kan modstå barske miljøforhold, hvilket gør den velegnet til industrielle anvendelser.

Kan denne komponent monteres direkte på printkort?

Ja, dens overflademonterede design giver mulighed for nem integration i PCB-layouts, hvilket fremmer effektive fremstillingsprocesser og sikrer pladsbesparende fordele i kompakte designs.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen dens funktion?

Med en gate-tærskelspænding fra 2V til 4V giver den designfleksibilitet, så den er kompatibel med forskellige styresignaler og samtidig sikrer effektiv aktivering af enheden.