Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 8.320,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.400,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 - 4000Kr. 2,08Kr. 8.320,00
8000 +Kr. 1,976Kr. 7.904,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6741
Producentens varenummer:
IRF7606TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-3.6A

Drain source spænding maks. Vds

-30V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.

Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm

Relaterede links