Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -9 A 20 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9303
- Producentens varenummer:
- IRF7324TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,95
(ekskl. moms)
Kr. 46,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 480 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,39 | Kr. 36,95 |
| 50 - 120 | Kr. 6,522 | Kr. 32,61 |
| 125 - 245 | Kr. 6,074 | Kr. 30,37 |
| 250 - 495 | Kr. 5,596 | Kr. 27,98 |
| 500 + | Kr. 5,266 | Kr. 26,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9303
- Producentens varenummer:
- IRF7324TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er -20 V dobbelt p-kanals HEXFET-effektmosfet i et SO 8-hus.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal -9 A 20 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9 A 40 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 200 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET