Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9295
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*
Kr. 30.849,60
(ekskl. moms)
Kr. 38.563,20
(inkl. moms)
Tilføj 4800 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | Kr. 6,427 | Kr. 30.849,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9295
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er den stærke IRFET Power Mosfet-serie, der er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 200 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 40 V SO-8, HEXFET