Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3 A 50 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
222-4607
Producentens varenummer:
AUIRF7103QTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

50V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links