Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 21 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 10.944,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.680,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 2,736Kr. 10.944,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-2587
Producentens varenummer:
IRF8734TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET Power MOSFET serien har 30 V maksimal kildespænding i SO-8 hus. Den har anvendelse som synkron MOSFET til notebook-processorkraft og synkron ensretter MOSFET til isolerede DC-DC-konvertere i netværkssystemer.

Lav portopladning

Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke

100 % testet for RG

Blyfri

Relaterede links