DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 0.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.277,50

(ekskl. moms)

Kr. 7.847,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,511Kr. 6.277,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
216-348
Producentens varenummer:
ZXMS6008DN8-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.9A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

ZXMS6008DN8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.13W

Min. driftstemperatur

-40°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

4.9mm

Bredde

6 mm

Højde

1.45mm

Standarder/godkendelser

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex MOSFET er en dobbelt selvbeskyttet IntelliFET MOSFET med lav side med logisk niveauindgang. Den integrerer overtemperatur-, overstrøm-, overspændings- og ESD-beskyttet logikniveau-funktionalitet. Den er velegnet som en allround switch, der drives af 3,3 V eller 5 V mikrokontrollere i barske miljøer, hvor standard MOSFET'er ikke er robuste nok.

Kompakt højtydende dissipationshus

Lav indgangsstrøm

Kortslutningsbeskyttelse med automatisk genstart

Overspændingsbeskyttelse

Termisk nedlukning med automatisk genstart

Beskyttelse mod overstrøm

Indgangs ESD-beskyttelse

Høj kontinuerlig mærkestrøm

Relaterede links