DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 17.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- RS-varenummer:
- 213-9211
- Producentens varenummer:
- DMT6015LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.377,50
(ekskl. moms)
Kr. 7.972,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,551 | Kr. 6.377,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9211
- Producentens varenummer:
- DMT6015LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT6015LPDW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.18Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.9W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Bredde | 6.4 mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMT6015LPDW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.18Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.9W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Bredde 6.4 mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex DMT6015LPDW serien er dobbelt N-kanal MOSFET. Den bruges i baggrundsbelysning, strømstyringsfunktioner, motorstyring og DC-DC-konvertere.
100 % udspændt induktiv omskiftning
Test i produktionen – sikrer en mere pålidelig og robust ende program
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 17 8 ben DMT6015LPDW DMT6015LPDW-13
- DiodesZetex N-Kanal 44 A 60 V PowerDI5060 - 8 DMT69M9LPDW-13
- DiodesZetex N-Kanal 69 8 ben, PowerDI5060 - 8 DMT68M8LPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 40 A 60 V PowerDI5060 - 8 DMT6011LPDW-13
- DiodesZetex N-Kanal 95 A 60 V PowerDI5060-8, DMNH6009SPS DMNH6009SPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 215 A 60 V PowerDI5060-8, DMTH61M8SPS DMTH61M8SPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 215 A 60 V PowerDI5060-8, DMTH61M8SPSQ DMTH61M8SPSQ-13
- DiodesZetex N-Kanal 205 A 60 V PowerDI5060-8, DMT61M8SPS DMT61M8SPS-13
