DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 182-7376
- Producentens varenummer:
- DMP34M4SPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 58,40
(ekskl. moms)
Kr. 73,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 5,84 | Kr. 58,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7376
- Producentens varenummer:
- DMP34M4SPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 127nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 127nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere RDS(ON) og alligevel opretholde overlegen skifteevne. Denne enhed er ideel til brug i notebook-pc'ens batteristyring og belastningsafbryder.
100 % Udspændt induktiv kontakt (UIS) test i produktionen
Termisk Effektiv Pakke – Kølere, Der Kører
Høj Konverteringseffektivitet
Lav RDS(ON) – Minimerer Tab i tilstanden
<1,1 mm pakkeprofil – Ideel til tynde anvendelser
Blyfri finish
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelse
Afbryder
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101 DMP27M1UPSW-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101 DMP1009UFDF-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 0.25 A 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 300 mA 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q200
