DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 182-7409
- Producentens varenummer:
- DMP45H150DHE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 229,80
(ekskl. moms)
Kr. 287,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 4,596 | Kr. 229,80 |
| 250 - 450 | Kr. 4,021 | Kr. 201,05 |
| 500 - 950 | Kr. 3,216 | Kr. 160,80 |
| 1000 - 1950 | Kr. 2,678 | Kr. 133,90 |
| 2000 + | Kr. 2,477 | Kr. 123,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7409
- Producentens varenummer:
- DMP45H150DHE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 450V | |
| Serie | DMP | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.65mm | |
| Længde | 6.55mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 450V | ||
Serie DMP | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.65mm | ||
Længde 6.55mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne 450 V forbedringstilstand P-kanal MOSFET giver brugerne en konkurrencedygtig specifikation, der giver effektiv effekthåndtering, høj impedans og er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundær nedbrydning. Anvendelser, der drager fordel af denne enhed, omfatter en række Telecom- og generelle switch-kredsløb med høj spænding.
Lavt Portdrev
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Belastningsskift
Uafbrudt strømforsyning
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 0.25 A 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 75 mA 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q104 AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 450 mA 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q104, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 140 mA 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 18.2 A 60 V Forbedring SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200