MPN

DiodesZetex 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 33.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101

RS-varenummer:: 182-6944
Producentens varenummer:: DMTH6016LPD-13
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 33.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.020,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.025,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 05. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,208	Kr. 8.020,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 182-6944
Producentens varenummer:: DMTH6016LPD-13
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33.2A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	PowerDI5060
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	28mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	37.5W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	8.4nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	0.7V
	Driftstemperatur maks.	+175°C
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Længde	5.85mm
	Højde	1.05mm
	Standarder/godkendelser	AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Bredde	4.95mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33.2A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype PowerDI5060
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 28mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 37.5W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 0.7V
	Driftstemperatur maks. +175°C
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Længde 5.85mm
	Højde 1.05mm
	Standarder/godkendelser AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Bredde 4.95mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet DMTH6016LPD-13

COO (Country of Origin):: CN

Denne MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)), men opretholder alligevel overlegen skifteevne, hvilket gør den velegnet til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Normeret til + 175 °C – Ideel til høje omgivelsestemperaturer

Omgivelser

Høj Konverteringseffektivitet

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Helt Blyfri

Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.

Motorstyringssystemer

Body Control Electronics

DCDC-konvertere

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.