DiodesZetex 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 33.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7321
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LPD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 59,09
(ekskl. moms)
Kr. 73,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,909 | Kr. 59,09 |
| 100 - 240 | Kr. 5,416 | Kr. 54,16 |
| 250 - 490 | Kr. 5,258 | Kr. 52,58 |
| 500 - 990 | Kr. 5,131 | Kr. 51,31 |
| 1000 + | Kr. 5,004 | Kr. 50,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7321
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LPD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 4.95mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 5.85mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37.5W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 4.95mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 5.85mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)), men opretholder alligevel overlegen skifteevne, hvilket gør den velegnet til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Normeret til + 175 °C – Ideel til høje omgivelsestemperaturer
Omgivelser
Høj Konverteringseffektivitet
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Motorstyringssystemer
Body Control Electronics
DCDC-konvertere