DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 33 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH6035 AEC-Q100, AEC-Q101,

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
206-0096
Producentens varenummer:
DMNH6035SPDW-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DMNH6035

Emballagetype

PowerDI5060

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

44mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.75V

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.8 mm

Højde

1.05mm

Længde

4.9mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 60V N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,4 W termisk effekttab.

Normeret til + 175 °C er velegnet til omgivelser med høje omgivelsestemperaturer

Lavt QG – minimerer skiftetab

Relaterede links