DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 17.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- RS-varenummer:
- 213-9212
- Producentens varenummer:
- DMT6015LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 72,95
(ekskl. moms)
Kr. 91,20
(inkl. moms)
Tilføj 200 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 4.950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,918 | Kr. 72,95 |
| 50 - 75 | Kr. 2,842 | Kr. 71,05 |
| 100 - 225 | Kr. 2,762 | Kr. 69,05 |
| 250 - 975 | Kr. 2,693 | Kr. 67,33 |
| 1000 + | Kr. 2,627 | Kr. 65,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9212
- Producentens varenummer:
- DMT6015LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT6015LPDW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.18Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.9W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 6.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMT6015LPDW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.18Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.9W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 6.4 mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex DMT6015LPDW serien er dobbelt N-kanal MOSFET. Den bruges i baggrundsbelysning, strømstyringsfunktioner, motorstyring og DC-DC-konvertere.
100 % udspændt induktiv omskiftning
Test i produktionen – sikrer en mere pålidelig og robust ende program
Relaterede links
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 17.1 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 33 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 46.2 A 40 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q100,
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 46.2 A 40 V Forbedring PowerDI5060
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 33.2 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101