DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 206-0140
- Producentens varenummer:
- DMT4001LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 206-0140
- Producentens varenummer:
- DMT4001LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT4001 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMT4001 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 40V, 8-benet N-kanal forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men alligevel opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 2,6 W termisk effekttab.
Høj konverteringseffektivitet
Lav RDS(ON) – minimerer tab af tilstand
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 17.1 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 33 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 61 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMP4013 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 76 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMP4011 AEC-Q101
