DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060-8 Nej DMT69M9LPDW-13
- RS-varenummer:
- 246-7559
- Producentens varenummer:
- DMT69M9LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 52,62
(ekskl. moms)
Kr. 65,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,262 | Kr. 52,62 |
| 50 - 90 | Kr. 5,161 | Kr. 51,61 |
| 100 - 240 | Kr. 3,815 | Kr. 38,15 |
| 250 - 990 | Kr. 3,718 | Kr. 37,18 |
| 1000 + | Kr. 3,628 | Kr. 36,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7559
- Producentens varenummer:
- DMT69M9LPDW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI5060-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0168Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI5060-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0168Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex er en dobbelt N-kanal forstærkningstilstand MOSFET og er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i TO252-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC
Den maksimale drain-til-kilde spænding er 60 V, og den maksimale gate-til-source spænding er ± 16 V, den giver lav modstand og hurtig skiftehastighed, den giver en indstillelig flanke for forbedret optisk inspektion termisk effektivt hus, der er velegnet til køligere anvendelser
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 44 A 60 V PowerDI5060 - 8 DMT69M9LPDW-13
- DiodesZetex N-Kanal 69 8 ben, PowerDI5060 - 8 DMT68M8LPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 40 A 60 V PowerDI5060 - 8 DMT6011LPDW-13
- DiodesZetex N-Kanal 95 A 60 V PowerDI5060-8, DMNH6009SPS DMNH6009SPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 215 A 60 V PowerDI5060-8, DMTH61M8SPS DMTH61M8SPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 215 A 60 V PowerDI5060-8, DMTH61M8SPSQ DMTH61M8SPSQ-13
- DiodesZetex N-Kanal 205 A 60 V PowerDI5060-8, DMT61M8SPS DMT61M8SPS-13
- DiodesZetex N-Kanal 17 8 ben DMT6015LPDW DMT6015LPDW-13
