DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Forbedring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101 DMN1008UFDF-7

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 109,85

(ekskl. moms)

Kr. 137,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.800 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,197Kr. 109,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
182-7260
Producentens varenummer:
DMN1008UFDF-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.8A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

UDFN

Serie

DMN

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

12.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Portkildespænding maks.

8 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.58mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.05 mm

Længde

2.05mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

0,6 mm profil – Ideel til lavprofils anvendelser

Print footprint på 4 mm2

Lav gate-tærskelspænding

Hurtig koblingshastighed

Helt Blyfri

Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed

Anvendelsesområder

Program Til Batteristyring

Power Management-Funktioner

DC/DC-konvertere

Relaterede links