DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101 DMN4060SVT-7
- RS-varenummer:
- 770-5137
- Producentens varenummer:
- DMN4060SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 57,45
(ekskl. moms)
Kr. 71,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50.875 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | Kr. 2,298 | Kr. 57,45 |
| 150 - 725 | Kr. 1,352 | Kr. 33,80 |
| 750 - 1475 | Kr. 1,197 | Kr. 29,93 |
| 1500 + | Kr. 1,047 | Kr. 26,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 770-5137
- Producentens varenummer:
- DMN4060SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben, TSOT-26 DMN4060SVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 20 V TSOT-26 DMN2024UVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 6 ben, TSOT-26 DMG6402LVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben DMN DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 3 6 ben DMN3061 DMN3061SVT-7
- DiodesZetex DMN61D8LVT-7 630 mA 6 Ben, TSOT-26
- DiodesZetex P-Kanal 5 6 ben, TSOT-26 DMP2040UVT-7
- DiodesZetex P-Kanal 5 6 ben, TSOT-26 DMP3050LVTQ-7
