DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 122-1469
- Producentens varenummer:
- DMN4060SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.385,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.982,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 45.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,795 | Kr. 2.385,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-1469
- Producentens varenummer:
- DMN4060SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.8 A 45 V Forbedring TSOT, DMN AEC-Q101 DMN4060SVT-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101 DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.8 A 12 V Forbedring UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 130 A 60 V Forbedring TO-220, DMN AEC-Q101
