DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 46.9 A 60 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, DMTH6016LK3 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7269
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 58,525
(ekskl. moms)
Kr. 73,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,341 | Kr. 58,53 |
| 250 - 475 | Kr. 1,915 | Kr. 47,88 |
| 500 - 975 | Kr. 1,757 | Kr. 43,93 |
| 1000 - 1475 | Kr. 1,503 | Kr. 37,58 |
| 1500 + | Kr. 1,407 | Kr. 35,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7269
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DMTH6016LK3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.26mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DMTH6016LK3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.26mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Normeret til + 175 °C – Ideel til høje omgivelsestemperaturer
Omgivelser
Lav Rds(On) – Sikrer, At Tab I Tilstanden Minimeres
Fremragende Qgd x RDS(ON)-produkt (FOM)
Blyfri finish
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Baggrundsbelysning
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.9 A 60 V Forbedring TO-252, DMTH6016LK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring TO-252, DMN6068LK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TO-252, DMN6040SK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 17.6 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 39 A 40 V Forbedring TO-252, DMN4010LK3 AEC-Q101
