DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Forbedring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7286
- Producentens varenummer:
- DMP1009UFDF-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 152,15
(ekskl. moms)
Kr. 190,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 3,043 | Kr. 152,15 |
| 250 - 450 | Kr. 2,432 | Kr. 121,60 |
| 500 - 950 | Kr. 2,211 | Kr. 110,55 |
| 1000 - 1950 | Kr. 1,96 | Kr. 98,00 |
| 2000 + | Kr. 1,848 | Kr. 92,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7286
- Producentens varenummer:
- DMP1009UFDF-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.58mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype UDFN | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.58mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
0,6 mm profil – ideel til anvendelser med lav profil
PCB footprint på 4 mm2
Lav aktiv modstand
Hurtig koblingshastighed
Anvendelsesområder
Program Til Batteristyring
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt 3.1 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 12.8 A 12 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.8 A 30 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.5 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200