DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 222-2851
- Producentens varenummer:
- DMP2045UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.133,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.667,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,711 | Kr. 2.133,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2851
- Producentens varenummer:
- DMP2045UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | UDFN-2020 | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.09Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.29W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.75V | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype UDFN-2020 | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.09Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.29W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.75V | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex dobbelt P-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder alligevel overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Print footprint på 4 mm2
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt 3.1 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101 DMP1009UFDF-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101 DMT3020LFDBQ-7
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 Ben, UDFN-2020 Nej
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 3.2 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101, AEC-Q100
