Vishay N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG22N60EF

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 457,00

(ekskl. moms)

Kr. 571,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 425 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 18,28Kr. 457,00
50 - 100Kr. 17,183Kr. 429,58
125 +Kr. 15,538Kr. 388,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4877
Producentens varenummer:
SIHG22N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SiHG22N60EF

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

182mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Bredde

5.31mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.82mm

Bilindustristandarder

Nej

EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.