Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG22N60EF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 457,00

(ekskl. moms)

Kr. 571,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 425 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 18,28Kr. 457,00
50 - 100Kr. 17,183Kr. 429,58
125 +Kr. 15,538Kr. 388,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4877
Producentens varenummer:
SIHG22N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

SiHG22N60EF

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

182mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Bredde

5.31 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.82mm

Bilindustristandarder

Nej

EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links