Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG105N60EF Nej SIHG105N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 119,23

(ekskl. moms)

Kr. 149,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 470 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 23,846Kr. 119,23
25 - 45Kr. 20,27Kr. 101,35
50 - 120Kr. 19,088Kr. 95,44
125 - 245Kr. 17,922Kr. 89,61
250 +Kr. 16,696Kr. 83,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7209
Producentens varenummer:
SIHG105N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SiHG105N60EF

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

102mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Højde

20.7mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.21 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er)

Relaterede links