Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 195 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA99DP Nej SIRA99DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-5097
- Producentens varenummer:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 98,44
(ekskl. moms)
Kr. 123,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.560 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 19,688 | Kr. 98,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5097
- Producentens varenummer:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiRA99DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 172.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.99mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bredde | 5 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiRA99DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 172.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.99mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bredde 5 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV-kanalsstrømforsyning MOSFET
Meget lav RDS(on) minimerer spændingsfald og reducerer ledningstab
Eliminerer behovet for fødepumpe
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 195 A 30 V PowerPAK SO-8 SIRA99DP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 28 A 100 V, PowerPAK SO-8 SI7489DP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK SO-8 SI7149ADP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 15 8 ben, PowerPak SO-8 SIR1309DP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 50 A 20 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIR401DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 20 V, PowerPAK SO-8 SIR424DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA04DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA10DP-T1-GE3