STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 Nej STB80NF55-06T4
- RS-varenummer:
- 188-8527
- Producentens varenummer:
- STB80NF55-06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 134,64
(ekskl. moms)
Kr. 168,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 26,928 | Kr. 134,64 |
| 25 - 45 | Kr. 25,298 | Kr. 126,49 |
| 50 - 120 | Kr. 23,95 | Kr. 119,75 |
| 125 - 245 | Kr. 22,62 | Kr. 113,10 |
| 250 + | Kr. 21,572 | Kr. 107,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8527
- Producentens varenummer:
- STB80NF55-06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 142nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.35 mm | |
| Højde | 4.37mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 142nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.35 mm | ||
Højde 4.37mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Power MOSFET er den seneste udvikling af STMicroelectrionis unikke "Single Feature size™" strip-baserede proces. Den resulterende transistor viser ekstremt høj pakketæthed for lav modstand, robuste lavinekarakteristika og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig reproducerbarhed i produktionen.
Fremragende dv/dt-funktionalitet
Anvendelsesorienteret karakteristik
Anvendelsesområder
Skift program
Anvendelsesområder
Skift program
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, STripFET II Nej STB80NF55L-06T4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, STripFET II Nej
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS Nej IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS Nej IPB80N06S2L09ATMA2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II Nej STB55NF06LT4