STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-varenummer:
- 192-4825
- Producentens varenummer:
- STL10N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 79,44
(ekskl. moms)
Kr. 99,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,888 | Kr. 79,44 |
| 25 - 45 | Kr. 14,916 | Kr. 74,58 |
| 50 - 120 | Kr. 14,168 | Kr. 70,84 |
| 125 - 245 | Kr. 13,374 | Kr. 66,87 |
| 250 + | Kr. 12,686 | Kr. 63,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4825
- Producentens varenummer:
- STL10N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 660mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.95mm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 660mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.95mm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Den nye MDmesh™ M6-teknologi indeholder de seneste fremskridt inden for den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der er tilgængelige, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret skiftetab
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 600 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.2 A 600 V Forbedring PowerFLAT (33) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 125 A 100 V Forbedring PowerFLAT