STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 5 Ben, PowerFLAT

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 82.284,00

(ekskl. moms)

Kr. 102.855,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 27,428Kr. 82.284,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
192-4659
Producentens varenummer:
STL45N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

160W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

8.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.9mm

Længde

8.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Denne N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh™ DM6-serien med hurtig genindvindingsdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav genindvindingsladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med effektiv skifteadfærd for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Relaterede links