STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 53 A 300 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 192-4977
- Producentens varenummer:
- STB45N30M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme Kr. 98,00
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 110,03
(ekskl. moms)
Kr. 137,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 55,015 | Kr. 110,03 | - |
| 20 - 48 | Kr. 50,115 | Kr. 100,23 | Kr. 98,00 |
| 50 + | Kr. 41,775 | Kr. 83,55 | Kr. 662,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4977
- Producentens varenummer:
- STB45N30M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 53A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 300V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.04Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.37mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 53A | ||
Drain source spænding maks. Vds 300V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.04Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.37mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET baseret på den innovative vertikale procesteknologi MDmesh™ M5 kombineret med det velkendte PowerMESH™ horisontale layout. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver høj effekt og overlegen effektivitet.
Ekstremt lav RDS (til)
Lav gate-opladning og indgangskapacitet
Fremragende skifteevne
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 53 A 300 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 42 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh