STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5 Nej STB42N65M5
- RS-varenummer:
- 761-0402
- Producentens varenummer:
- STB42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 enhed)*
Kr. 53,80
(ekskl. moms)
Kr. 67,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.878 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 53,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0402
- Producentens varenummer:
- STB42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Længde | 10.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Længde 10.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V D2PAK (TO-263), MDmesh M5 STB42N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V D2PAK (TO-263), MDmesh STB24NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 650 V D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB13N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 650 V D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB18N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 4 3 ben MDmesh M2 STB6N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V D2PAK (TO-263), MDmesh M5 STB38N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V D2PAK (TO-263), MDmesh M5 STB45N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 42 A 710 V D2PAK (TO-263), MDmesh M5 STB57N65M5
