STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- RS-varenummer:
- 760-9499
- Producentens varenummer:
- STB24NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 37,94
(ekskl. moms)
Kr. 47,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 532 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 37,94 |
| 10 - 99 | Kr. 25,61 |
| 100 - 999 | Kr. 19,20 |
| 1000 + | Kr. 16,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9499
- Producentens varenummer:
- STB24NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 10.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 10.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 4.5 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M2